Jag har börjat titta lite på olika kit och byggbeskrivningar at VHF slutsteg med LDMOS-transistorer och är sugen på att designa något enkelt från scratch, men eftersom jag inte känner att jag förstår mig på eller reder ut att konstruera fas-splittern för att köra push-pull så tänkte jag att man borde kunna bygga en single ended-krets som arbetar i klass A. Visst, det kommer bli varmt och lämna väldigt låg uteffekt men jag tänker att det ändå kan vara både lärorikt och roligt.
Jag har bara lyckats hitta ett enda klass-A-slutsteg med LDMOS och det lämnar 10W på kortvågsbanden men jag önskar konstruera ett för 144MHz och hoppas kunna nå 25-50W
Ponera att man har en transistor där det är två transistorer i en och samma kapsling där ingångsimpedansen för varje enskild transistor är 1.6 + j2.5. Kan man då parallellkopplad de bägge direkt utan gate-motstånd och räkna med att hamna på 0.8 + j1.25 ?
Och hur gör man med bias? Konstruerar men den "som vanligt" och sedan justerar den till max-ström enligt datablad?
Jag har bara lyckats hitta ett enda klass-A-slutsteg med LDMOS och det lämnar 10W på kortvågsbanden men jag önskar konstruera ett för 144MHz och hoppas kunna nå 25-50W
Ponera att man har en transistor där det är två transistorer i en och samma kapsling där ingångsimpedansen för varje enskild transistor är 1.6 + j2.5. Kan man då parallellkopplad de bägge direkt utan gate-motstånd och räkna med att hamna på 0.8 + j1.25 ?
Och hur gör man med bias? Konstruerar men den "som vanligt" och sedan justerar den till max-ström enligt datablad?